[发明专利]一种化学机械抛光液以及应用有效
申请号: | 201310354927.0 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN104371553B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 何华锋;王晨;周文婷;高嫄 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;B24B37/00 |
代理公司: | 北京大成律师事务所11352 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 以及 应用 | ||
1.一种用于TSV的化学机械抛光液,其特征在于,含卤素的氧化剂、大于等于15%质量百分比的二氧化硅研磨颗粒、含硅的有机化合物、有机胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、pH值调节剂、以及含有大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子,其中所述含硅的有机化合物为自由分散在水相中,或已经和研磨颗粒之间通过化学键相连,所述含硅的有机化合物具有如下分子结构:
其中,R为不能水解的取代基;D是连接在R上的有机官能团;A,B为相同的或不同的可水解的取代基或羟基;C是可水解基团或羟基,或不可水解的烷基取代基;D为氨基、巯基、环氧基、丙烯酸基、乙烯基、丙烯酰氧基或脲基,所述含卤素的氧化剂为溴酸钾、碘酸钾、氯酸钾、高碘酸和/或高碘酸铵中的一种或多种,所述大于或等于0.1mol/Kg的离子强度的电解质离子为钾离子,所述含硅的有机化合物的浓度为质量百分比0.01%~1%,所述抛光液的pH值为8~13。
2.如权利要求1所述化学机械抛光液,其特征在于,所述含硅的有机化合物中R为烷基,且所述烷基碳链上的碳原子被氧、氮、硫、膦、硅中的一种或多种原子继续取代;A,B和C分别为氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、乙酰氧基或羟基。
3.如权利要求1所述化学机械抛光液,其特征在于,所述含硅的有机化合物为硅烷偶联剂。
4.如权利要求3所述化学机械抛光液,其特征在于,所述含硅的有机化合物为3-氨基丙基三乙氧基硅烷,γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷,γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷,γ-巯丙基三乙氧基硅烷,γ-巯丙基三甲氧基硅烷,N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷,γ-氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
5.如权利要求3所述化学机械抛光液,其特征在于,所述含硅的有机化合物为γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述含硅的有机化合物的浓度为质量百分比0.05%~0.5%。
7.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述二氧化硅研磨颗粒的浓度为质量百分比大于等于20%。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述含卤素的氧化剂的浓度为质量百分含量为0.5%~4%。
9.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,有机胺为乙二胺、哌嗪或其组合物。
10.如权利要求9所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述乙二胺的浓度为质量百分含量为0.2%‐0.8%。
11.如权利要求9所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述哌嗪的浓度为质量百分含量为小于等于4%。
12.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述乙二胺四乙酸(EDTA)的浓度为质量百分含量0.01%‐6%。
13.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述pH值调节剂为各类酸、季铵碱、无机碱或其组合物。
14.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述各类酸不包括膦酸、硼酸及其组合。
15.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述各类酸为硫酸(H2SO4)、盐酸(HCl)、氨基酸中的一种或多种。
16.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述季铵碱为四甲基氢氧化铵(TMAH)。
17.如权利要13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述无机碱为氢氧化钾(KOH)。
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