[发明专利]用于倍增电荷耦合器件的封装结构有效
| 申请号： | 201310352285.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103400848A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈于伟;程顺昌;袁中朝 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H01L23/043;H01L23/34 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：它由制冷器安装腔、真空泵接口、半导体制冷器、PCB电路板、芯片、环形支架和盖板组成；前述各个部件均为分体式结构；所述半导体制冷器设置于制冷器安装腔内，制冷器安装腔上端面与PCB电路板下端面密封连接；PCB电路板上端面与环形支架下端面密封连接；环形支架上端面与盖板密封连接；芯片设置于半导体制冷器的上端面；真空泵接口设置于半导体制冷器上；盖板中部设置有光窗。本发明的有益技术效果是：装置内的各个部分均为分体式结构，便于更换、维修和调节，同时，可对封装结构进行重复抽真空处理，提高新样品的制作效率，降低样品损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 倍增 电荷耦合器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：它由制冷器安装腔（1）、真空泵接口（2）、半导体制冷器（3）、PCB电路板（4）、芯片（5）、环形支架（6）和盖板（7）组成；前述各个部件均为分体式结构；所述半导体制冷器（3）设置于制冷器安装腔（1）内，制冷器安装腔（1）上端面与PCB电路板（4）下端面密封连接；PCB电路板（4）上端面与环形支架（6）下端面密封连接；环形支架（6）上端面与盖板（7）密封连接；芯片（5）设置于半导体制冷器（3）的上端面；真空泵接口（2）设置于半导体制冷器（3）上；盖板（7）中部设置有光窗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310352285.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
