[发明专利]用于倍增电荷耦合器件的封装结构有效
| 申请号： | 201310352285.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103400848A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈于伟;程顺昌;袁中朝 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H01L23/043;H01L23/34 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 倍增 电荷耦合器件 封装 结构 | ||
1.一种用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：它由制冷器安装腔（1）、真空泵接口（2）、半导体制冷器（3）、PCB电路板（4）、芯片（5）、环形支架（6）和盖板（7）组成；前述各个部件均为分体式结构；
所述半导体制冷器（3）设置于制冷器安装腔（1）内，制冷器安装腔（1）上端面与PCB电路板（4）下端面密封连接；PCB电路板（4）上端面与环形支架（6）下端面密封连接；环形支架（6）上端面与盖板（7）密封连接；芯片（5）设置于半导体制冷器（3）的上端面；真空泵接口（2）设置于半导体制冷器（3）上；盖板（7）中部设置有光窗。
2.根据权利要求1所述的用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：所述制冷器安装腔（1）与PCB电路板（4）之间采用锡焊焊接；所述PCB电路板（4）与环形支架（6）之间采用锡焊焊接。
3.根据权利要求1所述的用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：所述芯片（5）和半导体制冷器（3）之间通过缩醛胶粘接。
4.根据权利要求1所述的用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：所述真空泵接口（2）设置于制冷器安装腔（1）的侧壁上，真空泵接口（2）的轴向与制冷器安装腔（1）的径向互相平行。
5.根据权利要求1所述的用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：所述制冷器安装腔（1）的材质采用铜材料。
6.根据权利要求1所述的用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：所述环形支架（6）与盖板（7）之间通过螺栓连接，环形支架（6）和盖板（7）的接触面上设置有密封环。
7.根据权利要求1所述的用于倍增电荷耦合器件的封装结构，其特征在于：所述制冷器安装腔（1）的底面厚度为2mm。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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