[发明专利]具有电荷载流子寿命降低设备的半导体器件有效
| 申请号： | 201310350246.7 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103515384A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | V·科马尼特斯基;A·毛德;G·米勒;F·D·普菲施;C·沙伊弗;H-J·舒尔泽;H·舒尔泽;D·维伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有电荷载流子寿命降低设备的半导体器件。提供一种半导体器件，包括：包括至少一个器件单元的单元区(110)，其中所述至少一个器件单元包括第一导电类型的第一器件区(14)；邻接至少一个器件单元的所述第一器件区(14)的第二导电类型的漂移区(11)；邻接所述漂移区的第一导电类型的掺杂区(40；44)；配置为用于降低第一导电类型的所述掺杂区(40；44)中的电荷载流子寿命的电荷载流子寿命降低装置(41；42；43；45)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 载流子 寿命 降低 设备 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括至少一个器件单元的单元区(110)，其中所述至少一个器件单元包括第一导电类型的第一器件区(14)；邻接至少一个器件单元的所述第一器件区(14)的第二导电类型的漂移区(11)；邻接所述漂移区的第一导电类型的掺杂区(40；44)；配置为用于降低第一导电类型的所述掺杂区(40；44)中的电荷载流子寿命的电荷载流子寿命降低装置(41；42；43；45)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
