[发明专利]具有电荷载流子寿命降低设备的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括至少一个器件单元的单元区(110)，其中所述至少一个器件单元包括第一导电类型的第一器件区(14)；

邻接至少一个器件单元的所述第一器件区(14)的第二导电类型的漂移区(11)；

邻接所述漂移区的第一导电类型的掺杂区(40；44)；

配置为用于降低第一导电类型的所述掺杂区(40；44)中的电荷载流子寿命的电荷载流子寿命降低装置(41；42；43；45)。

2.权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

半导体主体区(100)，

其中所述第一器件区(14)邻接半导体主体区(100)的第一表面(101)，且

其中第一导电类型的所述掺杂区(40；44)邻接半导体主体区(100)的所述第一表面(101)。

3.权利要求2所述的半导体器件，

其中所述电荷载流子寿命降低装置包括邻接第一导电类型的所述掺杂区(40；44)的复合区(42；43；45)。

4.权利要求3所述的半导体器件，

其中所述复合区(43；45)至少部分地位于所述第一表面(101)之上。

5.权利要求3所述的半导体器件，其中所述复合区(42；43；45)包括至少选自由以下材料组成的组的材料：

金属；

金属半导体化合物；以及

金属半导体合金。

6.前述权利要求之一所述的半导体器件，其中第一导电类型的所述掺杂区(40；44)具有比第一器件区(14)更低的掺杂浓度。

7.前述权利要求之一所述的半导体器件，其中第一导电类型的所述掺杂区(40；44)邻接所述第一器件区(14)。

8.权利要求1至6之一所述的半导体器件，其中第一导电类型的所述掺杂区(40；44)与第一器件区(14)相隔开。

9.前述权利要求之一所述的半导体器件，其中第一导电类型的所述掺杂区(40；44)布置在单元区(110)中。

10.权利要求1至8之一所述的半导体器件，其中第一导电类型的所述掺杂区(40；44)布置在单元区(110)的外部。

11.前述权利要求之一所述的半导体器件，其中所述第一器件区(14)是MOSFET和IGBT之一的主体区。

12.权利要求1至10之一所述的半导体器件，其中所述第一器件区(14)是二极管的发射区。

13.权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一器件区(14)是主体区，

其中第一导电类型的掺杂区位于单元区(110)的外部，以及

其中所述半导体器件进一步包括：

第一导电类型的第一发射区(12)，与第一导电类型互补的第二导电类型的第二发射区(13)，以及第一电极(31)，第一发射区(12)以及布置于漂移区(11)和第一电极(31)之间的第二发射区(13)且每个连接至所述第一电极(31)；

在所述至少一个器件单元中，第二导电类型的源极区(15)邻接所述主体区(14)，且栅电极(21)邻近主体区(14)且与主体区(14)通过栅极电介质(22)电介质绝缘；

第二电极(32)与源极区(15)及所述至少一个器件单元的所述主体区(14)电连接。

14.权利要求13所述的半导体器件，其中在第一导电类型的掺杂区(40)的至少一部分中的所述电荷载流子寿命降低装置小于100ns。

15.权利要求13所述的半导体器件，其中在第一导电类型的掺杂区(40)的至少一部分中的所述电荷载流子寿命降低装置小于漂移区中电荷载流子寿命的10％。

16.权利要求12所述的半导体器件，其中在第一导电类型的掺杂区(40)的至少一部分中的所述电荷载流子寿命短于在所述至少一个器件单元的主体区(14)中的电荷载流子寿命。

17.权利要求13至16之一所述的半导体器件，其中第一导电类型的掺杂区(40)中具有电荷载流子降低装置的所述至少一部分远离漂移区(11)。