[发明专利]一种VDMOS器件的条形元胞结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310348186.5 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347710B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;唐红祥;张新 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件的条形元胞结构及其制作方法，所述条形元胞结构包括漏区；位于漏区上的外延层；位于所述外延层内的横向沟道、第一阱区、第二阱区以及嵌入在所述第一阱区中的第一源区、嵌入在所述第二阱区中的第二源区，其中，所述横向沟道包括沟道阱区和嵌入在沟道阱区中的沟道源区；位于所述外延层上的栅氧化层，所述栅氧化层完全覆盖所述横向沟道；位于所述栅氧化层上的多晶硅层，所述多晶硅层的长边方向与所述横向沟道垂直。本发明通过在多晶硅层下的外延层中增加垂直于多晶硅层的长边方向的横向沟道，增加了元胞结构的沟道宽度和面积，能够有效地降低导通电阻，提高电流导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 条形 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述条形元胞结构包括：漏区；位于漏区上的外延层；位于所述外延层内的横向沟道、第一阱区、第二阱区以及嵌入在所述第一阱区中的第一源区、嵌入在所述第二阱区中的第二源区，其中，所述横向沟道包括沟道阱区和嵌入在沟道阱区中的沟道源区；位于所述外延层上的栅氧化层，其中，所述栅氧化层完全覆盖所述横向沟道；位于所述栅氧化层上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层的长边方向与所述横向沟道垂直。
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