[发明专利]一种VDMOS器件的条形元胞结构及其制作方法

权利要求书

1.一种VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述条形元胞结构包括：

漏区；

位于漏区上的外延层；

位于所述外延层内的横向沟道、第一阱区、第二阱区以及嵌入在所述第一阱区中的第一源区、嵌入在所述第二阱区中的第二源区，其中，所述横向沟道包括沟道阱区和嵌入在沟道阱区中的沟道源区；

位于所述外延层上的栅氧化层，其中，所述栅氧化层完全覆盖所述横向沟道；

位于所述栅氧化层上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层的长边方向与所述横向沟道垂直。

2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述沟道阱区在所述横向沟道的两端分别与所述第一阱区和所述第二阱区连接，所述沟道源区在所述横向沟道的两端分别与所述第一源区和所述第二源区连接。

3.根据权利要求2所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述沟道源区和所述沟道阱区间形成的沟道长度与所述第一源区和所述第一阱区间形成的沟道长度、所述第二源区和所述第二阱区间形成的沟道长度相同。

4.根据权利要求3所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述横向沟道包括一个横向沟道或多个横向沟道。

5.根据权利要求4所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述多个横向沟道沿所述多晶硅层的长边方向均匀地排列，其中，任意两个相邻的所述横向沟道间的距离为20μm。

6.一种VDMOS器件的条形元胞结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

形成漏区；

在漏区上形成外延层；

在所述外延层内形成横向沟道、第一阱区、第二阱区以及嵌入在所述第一阱区中的第一源区、嵌入在所述第二阱区中的第二源区，其中，所述横向沟道包括沟道阱区和嵌入在沟道阱区中的沟道源区；

在所述外延层上形成栅氧化层，其中，所述栅氧化层完全覆盖所述横向沟道；

在所述栅氧化层上形成多晶硅层，其中，所述多晶硅层的长边方向与所述横向沟道垂直。

7.根据权利要求6所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述沟道阱区在所述横向沟道的两端分别与所述第一阱区和所述第二阱区连接，所述沟道源区在所述横向沟道的两端分别与所述第一源区和所述第二源区连接。

8.根据权利要求7所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述沟道源区和所述沟道阱区间形成的沟道长度与所述第一源区和所述第一阱区间形成的沟道长度、所述第二源区和所述第二阱区间形成的沟道长度相同。

9.根据权利要求8所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述横向沟道包括一个横向沟道或多个横向沟道。

10.根据权利要求9所述的VDMOS器件的条形元胞结构，其特征在于，所述多个横向沟道沿所述多晶硅层的长边方向均匀地排列，其中，任意两个相邻的所述横向沟道间的距离为20μm。