[发明专利]多节宽光谱LED的结构设计与制作方法有效
| 申请号： | 201310332338.2 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103560188A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;陈大旭;周德保;杨东;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多节宽光谱LED结构设计与制作方法：（1）在衬底上预通入金属源及V族反应物，通过高温分解，在衬底上形成一层缓冲层；（2）提高生长温度，在缓冲层上生长非掺杂的GaN层，并在非掺杂的GaN层上生长一层N型GaN层；（3）将温度调至适合生长量子阱的温度，在N型GaN层上生长GaN/InGaN多周期量子阱结构；（4）在GaN/InGaN多周期量子阱结构上生长一层P型GaN；（5）重复（3）和（4），以形成多个[GaN/InGaN多周期量子阱+P型GaN层]组合的多节发光二极管LED结构。本发明实施例有效提高了LED的发光效率，并形成了宽光谱的LED结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多节宽 光谱 led 结构设计 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多节宽光谱LED的结构设计与制作方法，其特征在于，包括：（1）在衬底上预通入金属源及V族反应物，通过高温分解，在所述衬底上形成一层缓冲层；（2）提高生长温度，在所述缓冲层上生长非掺杂的GaN层，并在所述非掺杂的GaN层上生长一层N型GaN层；（3）将温度调至适合生长量子阱的温度，在所述N型GaN层上生长GaN/InGaN多周期量子阱结构，每周期所述GaN/InGaN的厚度为5～30nm；其中，每个所述量子阱的阱宽为2～5nm，垒宽为5～25nm，周期数为1～50；（4）在所述GaN/InGaN多周期量子阱结构上生长一层P型GaN，所述P型GaN的厚度为0～30nm，掺杂浓度为1x1017～1x1020cm‑3；（5）重复（3）和（4），以形成多个[GaN/InGaN多周期量子阱+P型GaN层]组合的多节发光二极管LED结构；其中，最后一层的所述P型GaN层的厚度为50～500nm，掺杂浓度为1x1017～1x1020cm‑3。
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