[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310329048.2 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103400861A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;阿部贵征;宍户英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;卢江 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括晶体管，所述晶体管包括：在衬底之上的第一栅电极；在所述第一栅电极之上的第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层之上的第二栅极绝缘层；以及在所述第二栅极绝缘层之上的第二栅电极；其中所述氧化物半导体层包括所述晶体管的沟道形成区，所述第一栅电极在所述晶体管的沟道宽度方向上延伸至所述氧化物半导体层的侧边缘之外，并且所述第二栅电极在所述晶体管的沟道宽度方向上延伸至所述氧化物半导体层的侧边缘之外。
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