[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，该方法通过研磨栅极上方的阻挡层，直至露出栅极的方式，可以直接在阻挡层上形成栅极所在区域的图案，使得在栅极上形成低电阻区时不需要对栅极所在的区域进行对准，也就不存在光刻工艺中的对准偏差问题，满足半导体工艺的更小线宽和最低能耗需求。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括在衬底上形成绝缘层的步骤，其特征在于，还包括以下步骤：在所述绝缘层上形成栅极；在栅极上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极；研磨所述阻挡层至露出栅极，所述阻挡层的顶面与所述栅极的顶面齐平；在栅极上形成电阻区，所述电阻区位于栅极所在区域的上方，且所述电阻区的阻值小于栅极的阻值；去除所述阻挡层；所述栅极由多晶硅层制成；所述在栅极上形成电阻区的步骤包括：在栅极上形成金属层；通过第一快速热退火工艺使金属与多晶硅反应生成金属硅化物，形成低电阻区；去除剩余的金属；所述第一快速热退火工艺的温度为650～750度，时间为20～40秒。