[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构的制造方法。包括提供前端结构，所述前端结构至少包括金属互连线及覆盖所述金属互连线的第一氧化层；在所述前端结构依上次形成一阻挡层和第二氧化层，并刻蚀形成开口，暴露出每条所述金属互连线的一部分；然后形成刀片电极层，所述刀片电极层与所述金属互连线相连接；之后填充第三氧化层并去除位于所述阻挡层之上的各层结构，形成刀片电极。可见，在本发明的制造方法中，加入了一层阻挡层，从而在去除氧化层等结构时，能够有效的保护刀片电极，防止其被剥离或者受到损坏，也有效的控制了晶圆边缘区域和中心区域的刀片电极厚度的非均一性，提高了良率。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：提供前端结构，所述前端结构至少包括金属互连线及覆盖所述金属互连线的第一氧化层；依次形成一阻挡层和第二氧化层，所述阻挡层覆盖所述前端结构；所述第二氧化层覆盖所述阻挡层；刻蚀所述第二氧化层、阻挡层和第一氧化层形成开口，以形成图案化的前端结构，暴露出每条所述金属互连线的一部分；形成刀片电极层，所述刀片电极层与所述金属互连线相连接；填充第三氧化层并去除位于所述阻挡层之上的各层结构，形成刀片电极。