[发明专利]逻辑兼容的RRAM结构和工艺

摘要

一种存储单元和方法包括：穿过第一介电层中的第一开口共形地形成的第一电极、共形地形成在第一电极上的电阻层、共形地形成在电阻层上的间隔层、共形地形成在电阻层上的第二电极、以及共形地形成在第二电极上的第二介电层，第二介电层包括第二开口。第一介电层形成在包括第一金属层的衬底上。第一电极和电阻层共同地包括超出第一开口延伸第一距离的第一唇状区。第二电极和第二介电层共同地包括超出第一开口延伸第二距离的第二唇状区。间隔层从第二距离延伸到第一距离。第二电极使用延伸穿过第二开口的通孔连接至第二金属层。本发明还提供了逻辑兼容的RRAM结构和工艺。

主权项

一种形成在半导体器件中的存储单元，所述存储单元包括：第一电极，穿过第一介电层中的第一开口共形地形成，所述第一介电层形成在包括第一金属层的衬底上，所述第一开口被配置成允许所述第一电极和所述第一金属层之间的物理接触；电阻层，共形地形成在所述第一电极上；间隔层，共形地形成在所述电阻层上；第二电极，共形地形成在所述电阻层上；以及第二介电层，共形地形成在所述第二电极上，所述第二介电层包括第二开口；其中：所述第一电极和所述电阻层共同包括超出由所述第一开口所限定的区域延伸第一距离的第一唇状区；所述第二电极和所述第二介电层共同包括超出由所述第一开口所限定的区域延伸第二距离的第二唇状区；所述间隔层在所述电阻层上方从所述第二距离延伸到所述第一距离；以及所述第二电极使用延伸穿过所述第二开口的通孔连接至第二金属层。