[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供衬底，所述衬底表面具有待刻蚀层；在待刻蚀层表面形成第一图形化掩膜层，所述第一图形沿第一方向的尺寸和间距等于在第一方向上待刻蚀图形的长度和间距；以第一图形化掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层，形成凹槽；在衬底表面形成与第一图形化掩膜层的表面齐平的介质层；刻蚀第一图形化掩膜层和介质层，形成第二图形化掩膜层，所述第二图形沿第二方向的尺寸和间距等于在第二方向上待刻蚀图形的宽度和间距，所述待刻蚀图形的宽度小于待刻蚀图形的长度；以第二图形化掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，形成待刻蚀图形。所述半导体结构的形成方法可以提高最终形成的待刻蚀图形的准确性。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有待刻蚀层，所述待刻蚀层用于形成待刻蚀图形，所述待刻蚀图形为矩形，所述待刻蚀图形的长度沿第一方向，所述待刻蚀图形的宽度沿第二方向，并且所述待刻蚀图形的长度大于宽度；在所述待刻蚀层表面形成第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层具有第一图形，所述第一图形沿第一方向的尺寸等于待刻蚀图形的长度，沿第一方向上的相邻第一图形之间的间距等于第一方向上相邻待刻蚀图形之间的间距；以所述第一图形化掩膜层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，形成凹槽，所述凹槽暴露出部分衬底的表面；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层填充满凹槽，并且所述介质层的表面与第一图形化掩膜层的表面齐平；刻蚀所述第一图形化掩膜层和介质层，形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层具有第二图形，所述第二图形沿第二方向的尺寸等于待刻蚀图形的宽度，沿第二方向上的相邻第二图形之间的间距等于第二方向上相邻待刻蚀图形之间的间距；以所述第二图形化掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，形成待刻蚀图形。