[发明专利]宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器

摘要

本发明公开了一种宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，属于光电子材料与器件领域，解决了现有InGaAs红外探测器由于晶格失配产生缺陷，导致探测器性能明显下降的问题。本发明的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，包括依次生长在GaAs衬底上的缓冲层、吸收层和盖层，所述缓冲层为掺Si的InAsP，厚度为0.5-1.5μm，所述吸收层为低掺杂Si的In0.82Ga0.18As，厚度为2.5-3.5μm，所述盖层为掺Be的InAlAs，厚度为0.5-1.5μm。本发明的红外探测器具有高量子效率、高探测率，能够满足正面进光、背面进光及倒扣封装结构。

主权项

宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，包括依次生长在GaAs衬底(1)上的缓冲层(2)、吸收层(3)和盖层(4)，其特征在于，所述缓冲层(2)为掺Si的InAsP，厚度为0.5‑1.5μm，所述吸收层(3)为低掺杂Si的In0.82Ga0.18As，厚度为2.5‑3.5μm，所述盖层(4)为掺Be的InAlAs，厚度为0.5‑1.5μm。