[发明专利]一种暴露器件顶面和底面的封装结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种暴露器件顶面和底面的封装结构及其制作方法，用以封装一个厚度减薄的芯片，该芯片的顶部源极依次电性连接对应位置的接触体和源极引脚，顶部栅极则依次电性连接对应位置的接触体和栅极引脚；而芯片的底部漏极依次电性连接了框架的承载部分和接触部分，以及接触部分上的漏极引脚。这些引脚由第一塑封体、第二塑封体绝缘隔离。封装结构的顶面齐平用来与其他外部器件进行电性连接。还将与芯片的底部漏极电性连接的框架承载部分的底面暴露设置，从而有效改善器件散热效果。

主权项

一种暴露器件顶面和底面的封装结构的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，在一个晶圆上形成有多个芯片，每个芯片包含设置在晶圆顶面的顶部第一电极和顶部第二电极，以及设置在晶圆底面的一个底部电极；步骤2，在晶圆顶面上对应于各个顶部电极，分别形成有可导电的接触体；步骤3，在晶圆顶面进行封装，形成覆盖了每个芯片的顶面及接触体的第一塑封体；步骤4，对晶圆的底面进行研磨，直至将该晶圆减薄至设定的厚度；并将研磨后的晶圆切割为各个单颗的芯片；步骤5，设置一个可导电的框架，所述框架设有承载部分和围绕该承载部分的相对的第一侧和第三侧，以及相对的第二侧和第四侧；该框架在第一侧和第三侧分别设有接触部分与承载部分连接，并且所述接触部分所在的平面高于所述承载部分所在的平面；步骤6，将任意一个所述芯片的底面固定在框架的承载部分的顶面上，并形成芯片的底部电极与框架的承载部分及接触部分之间的电性连接；步骤7，对连接了芯片的框架进行封装，使得芯片上各个顶部电极的接触体和框架上的接触部分，分别留有暴露在封装形成的第二塑封体顶面之外的表面，用以与外部器件进行电性连接；并且，还使得框架上所述承载部分的底面，留有暴露在所述第二塑封体底面之外的表面，用以进行散热；步骤8，在整个封装结构的顶面对应各个接触体和接触部分的暴露表面，形成有镀层作为相应电极的引脚，实现与外部器件的电性连接， 其中， 与所述接触部分电性连接的第一引脚分别延伸到第一侧和第三侧的边缘， 与顶部第一电极电性连接的第二引脚延伸到第二侧的边缘但终止在远离第一侧和第三侧的边缘， 与顶部第二电极电性连接的第三引脚延伸到第四侧的边缘但终止在远离第一侧和第三侧的边缘。