[发明专利]容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201310308952.5 申请日: 2013-07-22
公开(公告)号: CN103388134A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 王波;胡德志;严辉;张铭;王如志;宋雪梅;侯育冬;朱满康;刘晶冰;汪浩 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C23C16/517 分类号: C23C16/517
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀的薄膜的方法,涉及薄膜制备技术领域。将射频源与平行极板间的连接导线更换为较粗的连接导线或铜柱,即增加功率馈入端面积,从而使功率馈入端的面积大幅度增加,降低平行板电极间真空电势差分布的非均匀度。不需要购买和安装新的部件,不存在改良过程中很难实现的情况,它保证了改良方法的可行性,大大降低了改良的成本。
搜索关键词: 耦合 等离子体 增强 化学 沉积 制备 厚度 均匀 薄膜 方法
【主权项】:
容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀的薄膜的方法,其特征在于,将射频源与平行极板间的连接导线更换为较粗的连接导线或铜柱,即增加功率馈入端面积,从而使功率馈入端的面积大幅度增加,降低平行板电极间真空电势差分布的非均匀度。
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