[发明专利]容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀薄膜的方法有效
| 申请号: | 201310308952.5 | 申请日: | 2013-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN103388134A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
| 发明(设计)人: | 王波;胡德志;严辉;张铭;王如志;宋雪梅;侯育冬;朱满康;刘晶冰;汪浩 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
| 主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
| 地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 耦合 等离子体 增强 化学 沉积 制备 厚度 均匀 薄膜 方法 | ||
1.容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀的薄膜的方法,其特征在于,将射频源与平行极板间的连接导线更换为较粗的连接导线或铜柱,即增加功率馈入端面积,从而使功率馈入端的面积大幅度增加,降低平行板电极间真空电势差分布的非均匀度。
2.按照权利要求1的方法,其特征在于,增加功率馈入端面积的同时,还要保证功率馈入端的形状与平行极板的形状一致,使平行板电极间真空电势差分布具有良好的对称性。
3.按照权利要求1的方法,其特征在于,射频源的频率在30MHz到120MHz区间。
4.按照权利要求1的方法,其特征在于,如果平行极板是圆形时,功率馈入端的直径和圆形极板的直径比在1%到5%的区间内变化;如果平行极板是方形时,功率馈入端也应制成方形,功率馈入端的边长和方形极板的边长比在0.5%到5%的区间内变化。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





