[发明专利]低阻抗高透光ITO导电膜加工方法

摘要

本发明涉及移动通讯领域的触摸屏领域，尤其涉及一种ITO导电膜加工方法。一种低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，包括以下步骤：首先对透明薄膜基材进行清洁，然后消除透明薄膜基材的静电；然后镀一层SiO2，接着对SiO2镀层表面进行抛光，降低粗糙度，在利用磁控溅射将ITO沉积到SiO2镀层表面形成ITO镀层，最后进行退火处理，得到最终产品ITO薄膜。本发明利用磁控溅射技术加工出的ITO导电膜，在加工的前期对透明薄膜基材进行彻底的清洁和抛光，然后选取最合适的磁控溅射加工参数，并对薄膜进行退火处理提高薄膜透光率、降低其电阻率，使得制得的ITO导电膜具有很高可见光透过率的同时能够有较低的方块电阻值，具有广泛的推广应用价值。

主权项

一种低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一、对透明薄膜基材进行清洁，清洁操作的同时使用超声波增强清洁效果以彻底去除透明薄膜基材表面的氧化层和油污，透明薄膜基材厚度25μm~250μm，透明薄膜基材的可见光透过率为92%以上；步骤二、消除透明薄膜基材的静电；步骤三、利用磁控溅射将SiO2沉积到透明薄膜基材表面形成SiO2镀层，磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压350~450V，磁场强度500G，工艺气体采用氩气，SiO2镀层厚度为8~15nm，沉积时使透明薄膜基材的温度保持在95℃~98℃，得到初级基材薄膜；步骤四、对初级基材薄膜的SiO2镀层表面进行抛光，降低SiO2镀层的表面粗糙度，确保粗糙度不高于2nm；步骤五、利用磁控溅射将ITO沉积到初级基材薄膜的SiO2镀层表面形成ITO镀层，磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压150~180V，磁场强度1000G~1500G，工艺气体采用Ar‑O2混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2:1，ITO镀层厚度为50nm~150nm，沉积时使透明薄膜基材的温度保持在92℃~98℃，得到ITO导电薄膜；步骤六、对ITO导电薄膜进行退火处理，退火温度90~150℃，退火时间15~25分钟，得到最终产品。