[发明专利]低阻抗高透光ITO导电膜加工方法

权利要求书

1.一种低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，其特征是，包括以下步骤：

步骤一、对透明薄膜基材进行清洁，清洁操作的同时使用超声波增强清洁效果以彻底去除透明薄膜基材表面的氧化层和油污，透明薄膜基材厚度25μm~250μm，透明薄膜基材的可见光透过率为92%以上；

步骤二、消除透明薄膜基材的静电；

步骤三、利用磁控溅射将SiO₂沉积到透明薄膜基材表面形成SiO₂镀层，磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压350~450V，磁场强度500G，工艺气体采用氩气，SiO₂镀层厚度为8~15nm，沉积时使透明薄膜基材的温度保持在95℃~98℃，得到初级基材薄膜；

步骤四、对初级基材薄膜的SiO₂镀层表面进行抛光，降低SiO₂镀层的表面粗糙度，确保粗糙度不高于2nm；

步骤五、利用磁控溅射将ITO沉积到初级基材薄膜的SiO₂镀层表面形成ITO镀层，磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压150~180V，磁场强度1000G~1500G，工艺气体采用Ar-O₂混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2:1，ITO镀层厚度为50nm~150nm，沉积时使透明薄膜基材的温度保持在92℃~98℃，得到ITO导电薄膜；

步骤六、对ITO导电薄膜进行退火处理，退火温度90~150℃，退火时间15~25分钟，得到最终产品。

2.如权利要求1所述的低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，其特征是：所述的透明薄膜基材为PC或PET。

3.如权利要求1所述的低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，其特征是：所述步骤二中采用离子轰击透明薄膜基材消除静电。

4.如权利要求1所述的低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，其特征是：所述步骤六中退火处理的具体参数为，退火温度140℃，退火时间20分钟。