[发明专利]一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底

摘要

本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，包括硅（111）面衬底本体，在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带，条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成，将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台，其特征在于：矩形生长平台的任一角平分线与硅（111）面上六方排列的原子对应的正六边形的任一对角线的夹角在0～5°的范围内。对上述夹角范围的限定保证了六方相GaN生长后形成的横沟槽和纵沟槽的宽度基本一致。这为外延层的晶体质量和后续芯片制程的可靠性提供了有力保障，也彻底解决了现有矩形图形化硅衬底技术中，矩形生长平台方向的不确定性影响GaN晶体质量和芯片良率、可靠性的问题。

主权项

一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，包括硅（111）面衬底本体，在硅（111）面衬底本体的上表面（硅（111）面）加工有条状隔离带，条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成，条状隔离带将硅衬底本体的上表面分割成了多个的矩形生长平台，其特征在于：矩形生长平台的任一角平分线与硅（111）面上六方排列的原子对应的正六边形的任一对角线的夹角为0～5°。