[发明专利]高维持电压的静电放电防护TVS器件有效
| 申请号： | 201310293366.8 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103354230A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;曾杰;钟雷;郭维 | 申请（专利权）人： | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高维持电压的静电放电防护TVS器件，包括单元器件，单元器件包括P衬底；包括P衬底，高压N阱，P阱，第一N+有源注入区、第二N+有源注入区、第三N+有源注入区，第一P+有源注入区、第二P+有源注入区以及氧化层和多晶硅栅；第一N+有源注入区通过金属线引出作为单元器件的阳极，多晶硅栅通过金属线与第三N+有源注入区和第二P+有源注入区相连并引出作为单元器件的阴极。本发明一种高维持电压的静电放电防护器件不仅具有良好的静电泄放能力，而且有很高的维持电压，在集成电路工作时发生ESD事件也能有效的防护，避免了栓锁问题。 | ||
| 搜索关键词： | 维持 电压 静电 放电 防护 tvs 器件 | ||
【主权项】：
一种高维持电压的静电放电防护TVS器件，包括单元器件，其特征在于：所述单元器件包括P衬底；所述P衬底上嵌设有一高压N阱；所述高压N阱上设置有一P阱；P阱上设有第三N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述高压N阱未设P阱的区域中设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区，所述高压N阱与P阱的交界处嵌设有第二N+有源注入区；所述第一N+有源注入区、第一P+有源注入区、第二N+有源注入区、第三N+有源注入区和第二P+有源注入区依次相邻；所述第二N+有源注入区与第三N+有源注入区之间的P衬底上方设有一氧化层；在所述氧化层上方设有一多晶硅栅；所述第一N+有源注入区通过金属线引出作为单元器件的阳极，所述多晶硅栅通过金属线与第三N+有源注入区和第二P+有源注入区相连并引出作为单元器件的阴极。
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