[发明专利]在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法无效
| 申请号： | 201310290299.4 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103367588A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 纳米 侧壁 利用 作为 生长 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，其特征在于，包括：步骤1：取一半导体衬底(1)；步骤2：在该半导体衬底(1)上生长二氧化硅层(2)；步骤3：对生长有二氧化硅层(2)的半导体衬底(1)进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层(2)上生长纳米线(3)，该纳米线(3)的顶端有一Ga液滴(4)；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线(3)顶端的Ga液滴(4)，抑制顶端的纳米线(3)的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As环境中，在基片上纳米线(3)的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环(5)；步骤8：利用纳米环作为掩膜生长量子点(6)，并生长盖层。
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