[发明专利]一种A1掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜及其制备方法

摘要

本发明所提供的一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜及其制备方法，该阵列膜具有优良的导电性和可见光透明性，同时具有微/纳米线阵列膜的绒面陷光效应。

主权项

一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜的生长方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)准备材料：透明导电玻璃、六水合硝酸锌、九水合硝酸铝、去离子水；(2)配制溶液：按比例称量六水合硝酸锌和九水合硝酸铝为溶质，以去离子水为溶剂，配制硝酸锌与硝酸铝混合溶液；(3)阵列膜的制备：以硝酸锌和硝酸铝混合水溶液为电沉积溶液，白金钛网或铂为阳极(惰性电极)，透明导电膜玻璃为阴极，接通电源，在透明导电膜玻璃上电沉积法生长一层Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜；(4)热处理：在空气气氛下，约530℃，保温1h，随炉降温；真空条件下或N2+H2气氛下的热处理，约450℃，保温0.5～1h，随炉降温。