[发明专利]像素结构及其金属掩模有效
| 申请号： | 201310286064.8 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282710B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 黄俊杰;王伟立 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于有机发光二极管面板的像素结构及其金属掩模。该像素结构包括多行像素，每个像素分别包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，所述像素结构至少包括两列相邻排列的第一子像素和两列相邻排列的第三子像素，所述第二子像素位于所述第一子像素和第三子像素之间。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 金属 | ||
【主权项】：
一种像素结构，用于有机发光二极管面板，包括多行像素，每个像素分别包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素为不同颜色的子像素；其特征在于，所述像素结构包括至少两列相邻排列的第一子像素、至少两列相邻排列的第三子像素和至少一列第二子像素，每一列第二子像素位于所述第一子像素和第三子像素之间，两相邻的不同子像素之间的间距大于两相邻的相同子像素之间的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
