[发明专利]一种在太阳电池背面利用激光同步实现局域接触和局域掺杂的方法无效
| 申请号： | 201310282764.X | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103367545A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡永梅;福克斯·斯蒂芬;苗凤秀;汤安民;刘长明;刘丽芳;苗丽燕;谢斌;谢旭;杨金波;李仙德;陈康平;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用激光同时实现太阳电池背面局域接触和局域掺杂的方法，其是在太阳能电池背表面钝化层上再沉积含有硼的材料，并利用激光作用其表面，在形成背面局部接触窗口的同时完成对局域接触区域的掺杂，最后清洗去除含有硼的材料。本发明采用激光开膜，电极图案制作精度高，并同时完成对局域接触区域的掺杂，简化了工艺过程，降低了生产成本，在产业化方面具有很大的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 背面 利用 激光 同步 实现 局域 接触 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种在太阳电池背面利用激光同步实现局域接触和局域掺杂的方法，其特征在于，在太阳能电池背表面钝化层上再沉积含有硼的材料，并利用激光作用其表面，在形成背面局部接触窗口的同时完成对局域接触区域的掺杂，最后清洗去除含有硼的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
