[发明专利]一种制造ESD器件的方法、ESD器件和显示面板有效
| 申请号： | 201310281912.6 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103441119A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡振飞;郝昭慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造ESD器件的方法、ESD器件和显示面板，能够较好地解决阵列基板上积聚的静电电荷对未形成的ESD器件的破坏，提高阵列基板的良品率。该方法包括在ESD器件的制造过程中，通过构图工艺在基板上形成薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管栅极和源极连接的第一引线，且将所述第一引线断开为至少两段引线段；或与所述薄膜晶体管栅极和漏极连接的第二引线，且将所述第二引线断开为至少两段引线段；在形成第一引线或第二引线的基板上，沉积钝化层薄膜，通过构图工艺在所述钝化层薄膜上形成用于连接引线段的过孔；在形成过孔的基板上沉积透明导电膜层，所述透明导电膜层通过过孔将所述引线段之间导通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 esd 器件 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种制造防静电击穿ESD器件的方法，其特征在于，包括：在ESD器件的制造过程中，通过构图工艺在基板上形成薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管栅极和源极连接的第一引线，且将所述第一引线断开为至少两段引线段；或与所述薄膜晶体管栅极和漏极连接的第二引线，且将所述第二引线断开为至少两段引线段；在形成第一引线或第二引线的基板上，沉积钝化层薄膜，通过构图工艺在所述钝化层薄膜上形成用于连接引线段的过孔；在形成过孔的基板上沉积透明导电膜层，所述透明导电膜层通过过孔将所述引线段之间导通。
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