[发明专利]具有器件收益和生产率改进的金属栅极结构在审
| 申请号： | 201310279559.8 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103811538A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钟鸿钦;蔡向荣;李显铭;洪正隆;魏孝宽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构。半导体结构包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅叠层。栅叠层包括高k介电材料层、位于高k介电材料层上方的富钛TiN层以及设置在富钛TiN层上方的金属层。金属层包括铝。本发明还提供了具有器件收益和生产率改进的金属栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 器件 收益 生产率 改进 金属 栅极 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；以及栅叠层，设置在所述半导体衬底上；其中，所述栅叠层包括：高k介电材料层，富钛TiN层，位于所述高k介电层上方，和金属层，设置在所述富钛TiN层上方。
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