[发明专利]一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201310278007.5 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN103346214A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 沈文忠;钟思华;韩旭根 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/078;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 丁惠敏;郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池,包括:硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列;所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层,在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结,在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结;所述PN结为同质结,所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结,所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势,因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率,同时能提高电池性能的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 径向 同质 异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基径向同质异质结太阳电池,其特征在于,包括硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列;所述硅线阵列中的各个硅线的皆包括内层、中间层和外壳层,在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结,在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结;所述PN结为同质结,所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结,所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的