[发明专利]电容式硅麦克风芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310277564.5 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103347241B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 叶红波;王勇 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容式硅麦克风芯片及其制备方法，该芯片包括：硅衬底；形成于衬底上表面的一下沉式凹槽；形成于凹槽中的下极板和振动膜，振动膜以一空气隙为间隔、以一支撑体为支撑、设置于下极板上方，振动膜上设有多个释放孔，释放孔连通芯片外部与空气隙；以及背腔，形成于衬底背部，并延伸至下极板底部；其中，振动膜上表面的高度低于衬底上表面。在利用水刀划片方法对晶圆进行划片时，该芯片可有效避免对芯片造成损伤或污染，从而提高了芯片产能、降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容式硅麦克风芯片，包括：硅衬底；形成于所述衬底上表面的一下沉式凹槽；形成于所述凹槽中的下极板和振动膜，所述振动膜以一空气隙为间隔、以一支撑体为支撑、设置于所述下极板上方，所述振动膜上设有多个释放孔，所述释放孔连通所述芯片外部与所述空气隙，其中，所述凹槽的深度大于下极板厚度、空气隙深度和振动膜厚度之和；以及，背腔，形成于所述衬底背部，并延伸至所述下极板底部；其中，所述振动膜上表面的高度低于所述衬底上表面。
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