[发明专利]一种形成浅沟槽隔离结构的方法

摘要

本发明提供一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成具有多个浅沟槽隔离结构图案的硬掩膜层；在半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构；去除部分硬掩膜层；对多个浅沟槽隔离结构高出硬掩膜层的部分实施氧等离子体处理；执行退火处理，以在多个浅沟槽隔离结构高出半导体衬底的部分的顶部及侧壁区域形成致密氧化物层；以及去除剩余的硬掩膜层。根据本发明，由于所有的致密氧化物层具有更强的耐腐蚀性且具有相同的质量特性，在半导体衬底上形成栅极介电层之前，实施的湿法清洗所使用的DHF对形成在半导体衬底上的所有浅沟槽隔离结构的腐蚀效果都得到了较好的抑制，因此，不会造成浅沟槽隔离结构的高度的不一致。

主权项

一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有多个所述浅沟槽隔离结构图案的硬掩膜层；在所述半导体衬底中形成所述多个浅沟槽隔离结构，其中，形成所述多个浅沟槽隔离结构的步骤包括：以所述硬掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底中蚀刻出用于形成所述多个浅沟槽隔离结构的沟槽，在所述沟槽中及所述硬掩膜层上沉积隔离材料，执行离子注入和退火以在所述隔离材料中形成掺杂元素以及在所述形成有掺杂元素的隔离材料上沉积另一隔离材料，执行化学机械研磨工艺以研磨所述隔离材料，直至露出所述硬掩膜层；去除部分所述硬掩膜层；对所述多个浅沟槽隔离结构高出所述硬掩膜层的部分实施氧等离子体处理；执行另一退火处理，以在所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分的顶部及侧壁区域形成致密氧化物层；以及去除剩余的所述硬掩膜层。