[发明专利]一种形成浅沟槽隔离结构的方法有效

申请号：	201310273050.2	申请日：	2013-07-01
公开（公告）号：	CN104282614B	公开（公告）日：	2017-09-01
发明（设计）人：	邓浩	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762;H01L21/324
代理公司：	北京市磐华律师事务所11336	代理人：	董巍,高伟
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种形成沟槽隔离结构方法
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【权利要求书】：

1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有多个所述浅沟槽隔离结构图案的硬掩膜层；

在所述半导体衬底中形成所述多个浅沟槽隔离结构，其中，形成所述多个浅沟槽隔离结构的步骤包括：以所述硬掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底中蚀刻出用于形成所述多个浅沟槽隔离结构的沟槽，在所述沟槽中及所述硬掩膜层上沉积隔离材料，执行离子注入和退火以在所述隔离材料中形成掺杂元素以及在所述形成有掺杂元素的隔离材料上沉积另一隔离材料，执行化学机械研磨工艺以研磨所述隔离材料，直至露出所述硬掩膜层；

去除部分所述硬掩膜层；

对所述多个浅沟槽隔离结构高出所述硬掩膜层的部分实施氧等离子体处理；

执行另一退火处理，以在所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分的顶部及侧壁区域形成致密氧化物层；以及

去除剩余的所述硬掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个浅沟槽隔离结构的高度相同且宽度不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离材料为氧化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述隔离材料为HARP。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂元素为氮。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的下方还形成有缓冲层，以释放所述硬掩膜层和所述半导体衬底之间的应力。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缓冲层为薄层氧化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺实施部分所述硬掩膜层以及剩余的所述硬掩膜层的去除。