[发明专利]半导体制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体制造方法，涉及自对准双图案化技术领域。该方法包括提供其上依次沉积有界面层、芯膜层和硬掩模层的衬底；对硬掩模层和芯膜层进行图案化以形成中间图案，中间图案的图形间隔根据最终图形间隔来确定；对中间图案中的芯膜进行横向回刻蚀，横向回刻蚀的量根据最终关键尺寸来确定；芯膜的表面外延生长SiGe以填充由横向回刻蚀去掉的芯膜的侧壁空间；去除硬掩模；去除芯膜，从而得到由SiGe形成的间隔物图案掩模；通过干法刻蚀向下传递图案。该方法工艺流程简单，是一种自对准的双图案化方法，能够更好地控制最终线宽尺寸及线间沟槽尺寸的一致性。

主权项

一种半导体制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次沉积有界面层、芯膜和硬掩模层；对所述硬掩模层和所述芯膜进行图案化以形成中间图案；对所述中间图案中的所述芯膜进行横向回刻蚀，所述横向回刻蚀的量根据最终关键尺寸来确定；在所述芯膜的表面外延生长硅锗以填充由所述横向回刻蚀去掉的所述芯膜的侧壁空间；去除所述硬掩模；去除所述芯膜从而由所述硅锗形成间隔物图案掩模。