[发明专利]用于连接半导体装置的铜-铑合金线有效
申请号: | 201310271669.X | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN103715111A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 | 申请(专利权)人: | 田中电子工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/607 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王铁军 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线,使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜,并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量%以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量%的铑(Rh)的金属基体中,溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O),随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用,因此控制其动态强度,并且与溶解的氧协同作用,铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。 | ||
搜索关键词: | 用于 连接 半导体 装置 合金 | ||
【主权项】:
一种用于在半导体装置中使用的球焊的铜‑铑合金线,所述铜‑铑合金线包含铑(Rh)和作为基体的余量的纯度为99.995质量%以上的铜(Cu),且其特征在于,在所述高纯度铜(Cu)基体中溶解有量为0.1‑1.5质量%的作为金属元素的铑(Rh)和量分别为1.0‑10质量ppm和10‑150质量ppm的作为非金属元素的硫(S)和氧(O)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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