[发明专利]闪存器件结构以及制作方法有效
| 申请号： | 201310271004.9 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103346127B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11521;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种闪存器件结构以及制作方法，在掩膜层中刻蚀形成第一窗口，接着在第一窗口内形成控制栅，接着，在第一窗口内形成第二窗口，接着在第二窗口中形成字线，接着刻蚀形成浮栅，最后形成侧墙；由此得到尺寸较大的控制栅，降低闪存器件的整体电阻，提高了反应速度，减小响应时间。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 结构 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅层、第一隔离层以及掩膜层；刻蚀所述掩膜层形成第一窗口；在所述第一窗口内侧壁上依次形成控制栅和第二隔离层；依次刻蚀第一窗口内的第一隔离层、浮栅层和栅介质层，形成第二窗口；在第二窗口内依次形成第三氧化硅层和字线，所述字线的高度低于所述第二隔离层的高度；依次刻蚀所述掩膜层、第一隔离层以及浮栅层，形成浮栅；在所述浮栅、第一隔离层以及所述控制栅的两侧形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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