[发明专利]电可擦可编程只读存储器

摘要

本发明公开一种电可擦可编程只读存储器，至少包括半导体衬底；于该半导体衬底上间隔设置N型重掺杂的源极区域和漏极区域及沟道区该沟道区位于该源极区域和该漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于该源极区域和该漏极区域；第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间，通过本发明，避免了大量使用字线电压选择开关，减少了芯片的面积。

主权项

一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：半导体衬底；所述半导体衬底为N型衬底；于该半导体衬底上间隔设置N型重掺杂的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域和该漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于该源极区域和该漏极区域；第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间；通过在N型衬底上的第一位线施加正高压和在该第一控制栅施加负高压实现对电可擦可编程只读存储器进行擦除的操作；在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，对选中单元，对该字线施加的电压范围是‑1～‑3V，对该第一位线施加的电压范围是5～8V，对该第一控制栅施加的电压范围为‑5～‑8V，该第二位线与该第二控制栅电压为0。