[发明专利]电可擦可编程只读存储器

权利要求书

1.一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：

半导体衬底；

于该半导体衬底上间隔设置N型重掺杂的源极区域和漏极区域及沟道区该沟道区位于该源极区域和该漏极区域之间；

第一位线和第二位线，分别连接于该源极区域和该漏极区域；

第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；

第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间。

2.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该半导体衬底为N型衬底。

3.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，对选中单元，对该字线施加的电压范围是-1～-3V，对该第一位线施加的电压范围是5～8V，对该第一控制栅施加的电压范围为-5～-8V，该第二位线与该第二控制栅电压为0。

4.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，对相同行未选中单元，对该字线施加的电压范围是-1～-3V，对该第一控制栅施加的电压范围为-5～-8V，该第一位线、该第二位线与该第二控制栅电压为0。

5.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，对同列不同行的未选中单元，对该第一位线施加的电压范围为5～8V，该字线电压、该第二位线、该第一控制栅及该第二控制栅电压为0。

6.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行编程操作时，对选中单元，对该第一控制栅施加电压范围为5～9V，对该第二控制栅施加电压范围为3～5V，对该第一位线施加电压范围为5～7V，该第二位线施加电流范围为1～5uA，对该字线施加的电压范围为1～2V。

7.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行编程操作时，对同行未选中单元，该第一控制栅接5～9V电压，该第二控制栅接3～5V电压，该字线WL接1～2V电压，该第一位线及第二位线电压为0V。

8.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行编程操作时，对同列不同行未选中单元，该控制栅、该第二控制栅及该字线均接0V电压，对不同行不同列的未选中单元，该第一控制栅、该第二控制栅、该字线、该第一位线及该第二位线均接0V电压。

9.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行读操作时，对选中单元，该第一控制栅接0V电压，对该第二控制栅施加电压范围为3～5V，对该第二位线施加电压范围为0.5～2V，该第一位线接0V电压，对该字线施加的电压范围是3～5V。

10.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行读操作时，对同行未选中单元，该第一控制栅接0V，该第二控制栅施加电压范围为3～5V，对该字线施加的电压范围是3～5V，该第一位线及该第二位线悬空。

11.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：在对该电可擦可编程只读存储器进行读操作时，对同列不同行未选中单元，该第一控制栅、该第二控制栅及该字线接0V电压，对不同行不同列的未选中单元，该第一控制栅、第二控制栅、该字线、该第一位线及该第二位线均接0V电压。