[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201310269972.6 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103336396A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 袁剑峰;冯玉春;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及显示领域，既能降低信号线走线处的寄生电容，又能解决现有技术中因像素电极和公共电极之间的设置有机绝缘膜导致的驱动电压偏高的问题。本发明所述阵列基板，包括基板，以及设置在基板上的像素电极、公共电极、薄膜晶体管和信号线，所述信号线包括栅线、数据线和公共电极线，还包括：设置于所述像素电极和所述公共电极之间的绝缘层，所述绝缘层包括：与显示区域对应的第一部分，与非显示区域对应的第二部分，所述非显示区域包括：与薄膜晶体管及信号线走线对应的区域；所述第一部分的介电常数大于第一临界值，所述第二部分的介电常数小于第二临界值，所述第一临界值大于所述第二临界值。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括基板，以及设置在基板上的像素电极、公共电极、薄膜晶体管和信号线，所述信号线包括栅线、数据线和公共电极线，其特征在于，还包括：设置于所述像素电极和所述公共电极之间的绝缘层，所述绝缘层包括：与显示区域对应的第一部分，与非显示区域对应的第二部分，所述非显示区域包括：与薄膜晶体管及信号线走线对应的区域；所述第一部分的介电常数大于第一临界值，所述第二部分的介电常数小于第二临界值，所述第一临界值大于所述第二临界值。
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