[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。 

背景技术

传统液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）的液晶分子一般都在垂直-平行状态间切换，存在视角各向异性和可视角度窄的问题，目前针对这一问题已经提出了很多种解决方法，如平面转换（In-Plane Switching，简称：IPS）技术和边缘场开关（Fringe Field Switching，简称：FFS）技术。 

IPS技术和FFS技术，其共同特点是像素电极和公共电极都设置在阵列基板上，因此，像素电极和公共电极之间均需设置一层绝缘层（通常为树脂层，或者钝化层，或者包括树脂层和钝化层的双层膜结构），该绝缘层最初采用氮化硅绝缘膜，氮化硅介电常数大（7～8），可获得大的像素存储电容，有助于降低驱动电压，但氮化硅绝缘膜存在制作困难，无法保证阵列基板表面平坦度（平坦度有利于减少聚酰亚胺(polyimide，PI)涂覆和摩擦取向等工艺的不良发生率）等问题，而且因氮化硅介电常数大，在数据线、栅线等走线处常常存在较大寄生电容。因此，现有像素电极和公共电极之间的绝缘层一般采用有机绝缘膜如树脂层，树脂的介电常数（3～4）比氮化硅小，而且制作简单，引入阵列基板可使得LCD充电时间减少（走线处寄生电容减小），保证充电率，提高LCD开口率和保证阵列基板表面平坦度，但也因树脂的介电常数较小，像素存储电容相对较小，存在驱动电压偏高的问题。 

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，既能降低信号线走线处的寄生电容，又能解决现有技术中因像素电极和公共电极之间的设置有机绝缘膜导致的驱动电压偏高的问题。 

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 

一种阵列基板，包括基板，以及设置在基板上的像素电极、公共电极、薄膜晶体管和信号线，所述信号线包括栅线、数据线和公共电极线，还包括： 

设置于所述像素电极和所述公共电极之间的绝缘层，所述绝缘层包括：与显示区域对应的第一部分，与非显示区域对应的第二部分，所述非显示区域包括与薄膜晶体管及信号线走线对应的区域； 

所述第一部分的介电常数大于第一临界值，所述第二部分的介电常数小于第二临界值，所述第一临界值大于所述第二临界值。 

优选地，所述绝缘层的材质具有如下特点：经过紫外光照射后，介电常数变大。 

具体地，所述绝缘层的第一部分在制造过程中经历过紫外光照射，所述第二部分在制造过程中没有经历过紫外光照射。 

可选地，所述绝缘层为有机绝缘膜。 

进一步地，所述的阵列基板，还包括：钝化层； 

与所述绝缘层相比，所述钝化层设置在更靠近所述阵列基板对盒面的一侧。 

本发明还提供一种显示装置，包括：任一项所述的阵列基板。 

对应地，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括： 

在形成有第一电极的基板上形成绝缘层，所述绝缘层由经过紫外光照射后介电常数会变大的材质制成； 

在形成有所述第一电极和所述绝缘层的基板上形成第二电极，完成阵列基板的常规制造流程； 

从阵列基板的非对盒面的一侧对所述阵列基板进行紫外光照。 

可选地，在所述第一电极为像素电极时，所述第二电极为公共电极； 

在所述第一电极为公共电极时，所述第二电极为像素电极。 

优选地，所述绝缘层为有机绝缘膜。 

进一步地，在形成有所述第一电极和所述绝缘层的基板上形成第二电极之前；或者，在形成有所述第一电极和所述绝缘层的基板上形成第二电极之后，还包括： 

在形成有所述绝缘层的基板上形成钝化层。 

本发明提供的阵列基板及其制造方法和显示装置，在像素电极和公共电极之间设置绝缘层，一方面，所述绝缘层上与显示区域对应的第一部分的介电常数大于第一临界值，可达到增大像素存储电容，降低驱动电压的目的；另一方面，所述绝缘层上与非显示区域对应的第二部分介电常数小于第二临界值，可达到降低非显示区域（与薄膜晶体管和信号线走线对应的区域）减小存在的寄生电容，保证充电率，保证显示效果。 

附图说明

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的平面结构示意图； 

图2为图1阵列基板沿A’-A线的剖面结构示意图； 

图3为本发明实施例一中采用紫外光照射基板制作的阵列基板的示意图；