[发明专利]受光元件

摘要

本发明提供一种可减少暗电流的受光元件，其具备衬底、受光层、扩散浓度分布调整层及窗层，受光层设置在衬底与扩散浓度分布调整层之间，扩散浓度分布调整层设置在受光层与窗层之间，包含窗层及扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，第一区域含有规定的杂质元素且与第二区域邻接，第一区域的导电型为p型，自窗层与扩散浓度分布调整层的接合面在第二区域中朝上述窗层内或扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×1015cm-3以上、1×1019cm-3以下的范围内。

主权项

一种受光元件，其特征在于，具备：衬底，包含III‑V族半导体；受光层，设置在上述衬底上；扩散浓度分布调整层，与上述受光层邻接而设置，包含III‑V族半导体；及窗层，与上述扩散浓度分布调整层邻接而设置，具有大于上述扩散浓度分布调整层的带隙能，包含III‑V族半导体，上述受光层设置在上述衬底与上述扩散浓度分布调整层之间，上述扩散浓度分布调整层设置在上述受光层与上述窗层之间，包含上述窗层及上述扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与上述受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，上述第一区域含有规定的杂质元素且与上述第二区域邻接，上述第一区域的导电型为p型，自上述窗层与上述扩散浓度分布调整层的接合面在上述第二区域中朝上述窗层内或上述扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×1015cm‑3以上、1×1019cm‑3以下的范围内。