[发明专利]在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法无效
| 申请号： | 201310258323.6 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337452A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊晟;孔祥涛;韩晓刚;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火。通过在硅锗层上形成一层外延硅层，用外延硅层代替硅锗层与镍铂反应生成镍自对准硅化物，降低工艺的退火温度，提高薄膜的膜质均匀性，同时所成薄膜电阻降低减小了器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗层上 形成 对准 硅化物 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极以及硅锗源/漏级；在硅锗层上外延一层硅；对外延硅层进行非晶化处理；在外延硅层上沉积镍铂层；对外延硅层和镍铂层进行第一次快速退火；湿法去除未反应的镍；对外延硅层和镍铂层进行第二次快速退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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