[发明专利]在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法无效
| 申请号： | 201310258323.6 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337452A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊晟;孔祥涛;韩晓刚;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅锗层上 形成 对准 硅化物 工艺 方法 | ||
1.一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极以及硅锗源/漏级；
在硅锗层上外延一层硅；
对外延硅层进行非晶化处理；
在外延硅层上沉积镍铂层；
对外延硅层和镍铂层进行第一次快速退火；
湿法去除未反应的镍；
对外延硅层和镍铂层进行第二次快速退火。
2.如权利要求1所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述非晶化处理采用的材料为硅、锗或硅和锗的混合物。
3.如权利要求1所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述非晶化处理采用选择性离子注入方法。
4.如权利要求3所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述外延硅层的厚度为
5.如权利要求4所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述选择性离子注入方法注入的能量为5Kev～50Kev，离子流剂量为1.0×1013/厘米2～1.0×1016/厘米2。
6.如权利要求4所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述选择性离子注入方法注入的能量为5Kev～50Kev，离子流剂量为1.0×1014/厘米2～1.0×1016/厘米2。
7.如权利要求3所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述外延硅层的厚度为
8.如权利要求7所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述选择性离子注入方法注入的能量为5Kev～50Kev，离子流剂量为1.0×1013/厘米2～1.0×1016/厘米2。
9.如权利要求1所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述镍铂层的厚度为
10.如权利要求1所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述第一次快速退火的温度为280℃～320℃。
11.如权利要求1到10中任意一项所述的在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，所述第二次快速退火的温度为500℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310258323.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卷烟包装箱的焊接工艺方法
- 下一篇：一种压滤板焊接机用上模固定装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
