[发明专利]隐藏式MEMS压力传感器敏感芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及压力传感器的敏感芯片，具体为一种隐藏式MEMS压力传感器的敏感芯片及其制作方法，解决了现有的硅压阻式压力传感器存在的器件性能、寿命不理想的问题。一种隐藏式MEMS压力传感器敏感芯片，包括以SOI的BOX层为停止层通过刻蚀工艺刻蚀SOI片的衬底层后形成的SOI片器件层（1）和玻璃基底（5）；所述SOI片器件层（1）上制作有惠斯登电桥的四个压敏电阻R1、R2、R3、R4和用于连接作用的八个掺杂导线（3）和八个连接锚点（2）。本发明设计合理，制作出的压力传感器敏感芯片克服了外界环境因素对器件电路的影响，也解决了因材料的热失配问题而导致器件性能下降的弊端，延长了器件的使用寿命。

主权项

一种隐藏式MEMS压力传感器敏感芯片，其特征在于：包括SOI片器件层（1）和玻璃基底（5）；所述SOI片器件层（1）上制作有惠斯登电桥的四个压敏电阻R1、R2、R3、R4和用于连接作用的八个掺杂导线（3）和八个连接锚点（2），所述每个压敏电阻的两端均与各自的掺杂导线（3）的一端连接，所述每个掺杂导线（3）的另一端均与各自的连接锚点（2）搭接；所述每个连接锚点（2）上制作有一层与其形成欧姆接触的金属层（4）；所述玻璃基底（5）上表面腐蚀有5～200μm深的压力腔（6）和第一、二、三、四、五镶嵌电路（7、8、9、10、11）；所述SOI片器件层（1）与玻璃基底（5）上表面通过阳极键合工艺键合在一起，所述四个压敏电阻R1、R2、R3、R4置于压力腔（6）的范围内且形成密封的压力腔（6）；所述第一、二、三、四、五镶嵌电路（7、8、9、10、11）与相应的连接锚点（2）上金属层（4）连接后形成完整的惠斯登电桥，即压敏电阻R1、R2之间通过第二镶嵌电路（8）连接、压敏电阻R2、R3之间通过第三镶嵌电路（9）连接、压敏电阻R3、R4之间通过第四镶嵌电路（10）连接、压敏电阻R1的另一端通过连接锚点（2）与第一镶嵌电路（7）连接、压敏电阻R4的另一端通过连接锚点（2）与第五镶嵌电路（11）连接；所述第一、二、三、四、五镶嵌电路（7、8、9、10、11）部分暴露于SOI片器件层（1）外，所述第一、二、三、四、五镶嵌电路（7、8、9、10、11）的暴露部分分别键合有引线（12）。