[发明专利]具有去耦的读/写路径的存储元件有效
| 申请号： | 201310253100.0 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104008771B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 丁裕伟;黄国钦;蔡竣扬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有去耦的读/写路径的存储元件，包括开关、连接在所述开关的栅极和第三线之间的电阻开关装置以及位于所述开关的栅极和第二线之间的传导路径，其中所述开关具有与第一线连接的第一端子和与第二线连接的第二端子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 路径 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种具有去耦的读/写路径的存储元件，所述存储元件包括：开关，包括栅极、与电源线连接的第一端子以及与字线连接的第二端子；电阻开关装置，连接在所述开关的栅极和位线之间；以及传导路径，位于所述开关的栅极和所述字线之间。
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