[发明专利]具有去耦的读/写路径的存储元件

权利要求书

1.一种具有去耦的读/写路径的存储元件，所述存储元件包括：

开关，包括栅极、与电源线连接的第一端子以及与字线连接的第二端子；

电阻开关装置，连接在所述开关的栅极和位线之间；以及

传导路径，位于所述开关的栅极和所述字线之间。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电阻开关装置包括金属-绝缘体-金属开关装置。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电阻开关装置包括磁阻式隧道结(MTJ)装置。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储元件的读路径与所述存储元件的写路径取道所述存储元件中的不同路径。

5.根据权利要求1所述的存储元件，进一步包括选择性地施加在所述字线和所述位线之间的电压源，使得电流流过所述传导路径但并不流过所述开关。

6.根据权利要求1所述的存储元件，进一步包括选择性地施加在所述电源线和所述位线之间的电压源，使得电流流过所述传导路径和所述开关。

7.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电源线和所述位线之间施加的电压值使得所述电阻开关装置的状态可被感测放大器读出。

8.一种存储阵列，包括：

多条位线；

多条字线；

多条电源线；以及

多个存储元件，每个所述存储元件都包括：

开关，包括：

栅极；

与电源线连接的第一端子；和

与字线连接的第二端子；

电阻开关装置，连接在所述开关的栅极和位线之间；以及

传导路径，位于所述开关的栅极和字线之间。

9.根据权利要求8所述的存储阵列，其中，所述电阻开关装置包括金属-绝缘体-金属开关装置。

10.根据权利要求8所述的存储阵列，其中，所述电阻开关装置包括磁阻式隧道结(MTJ)装置。

11.根据权利要求8所述的存储阵列，其中，所述存储元件的读路径与所述存储元件的写路径取道所述存储元件中的不同路径。

12.根据权利要求8所述的存储阵列，进一步包括选择性地施加在字线和位线之间的电压源，使得电流流过所述传导路径而非所述字线和所述位线之间的交叉点处的存储元件的所述开关。

13.根据权利要求8所述的存储阵列，进一步包括要选择性地施加在电源线和位线之间的电压源，使得电流流过所述传导路径以及所述位线和所述电源线之间的交叉点处的存储元件的所述开关。

14.根据权利要求13所述的存储阵列，其中，所述电源线和所述位线之间施加的电压值使得所述电阻开关装置的状态能够被感测放大器读出。

15.根据权利要求13所述的存储阵列，其中，所述存储阵列的结构使得：相比于流过被选择的存储元件的所述电阻开关装置的电流，由感测放大器所感测的因潜行电流产生的电流是微不足道的。

16.一种操作具有去耦的读/写路径的存储元件的方法，所述方法包括：

为了对所述存储元件进行写入，在与所述存储元件中的电阻开关装置的第一端子连接的位线和与所述存储元件中的开关的第一端子连接的字线之间施加电压，所述开关的栅极连接至所述电阻开关装置的第二端子；以及

为了读出所述存储元件的状态，在所述位线和与所述开关的第二端子连接的电源线之间施加电压，

其中，所述存储元件包括位于所述电阻开关装置的第二端子和所述开关的第一端子之间的传导路径。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在对所述存储元件进行写入时，电流流过所述传导路径但不流过所述开关。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，在对所述存储元件进行读取时，电流流过所述传导路径和所述开关。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述电阻开关装置包括金属-绝缘体-金属开关装置。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述电阻开关装置包括磁阻式隧道结(MTJ)装置。