[发明专利]包括气隙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310248767.1 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103903994B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李南烈;廉胜振;林成沅;洪承希;李孝硕;金东锡;金承范;金洗镇 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,石卓琼 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术提供了一种半导体器件及其制造方法，可以减小相邻的导电结构之间的寄生电容。制造半导体器件的方法可以包括以下步骤在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之间形成接触孔；在接触孔的侧壁之上形成牺牲间隔件；形成凹陷在各个接触孔内的第一插塞；通过去除牺牲间隔件来形成气隙；形成覆盖气隙且同时暴露出第一插塞的顶表面的覆盖结构；以及在第一插塞之上形成第二插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成多个位线结构；在所述位线结构之间形成接触孔；在所述接触孔的侧壁之上形成牺牲间隔件；形成凹陷在各个接触孔中的第一插塞；通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；形成覆盖所述气隙且同时暴露出所述第一插塞的顶表面的覆盖结构；以及在所述第一插塞之上形成第二插塞，其中，形成覆盖结构的步骤包括以下步骤：在所述第一插塞的顶表面和侧壁之上形成覆盖层；在形成有所述覆盖层的整个表面之上形成钝化层；以及选择性地去除所述覆盖层和所述钝化层，以形成具有覆盖层图案和钝化层图案且同时暴露出所述第一插塞的顶表面的所述覆盖结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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