[发明专利]包括气隙的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个位线结构；

在所述位线结构之间形成接触孔；

在所述接触孔的侧壁之上形成牺牲间隔件；

形成凹陷在各个接触孔中的第一插塞；

通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；

形成覆盖所述气隙且同时暴露出所述第一插塞的顶表面的覆盖结构；以及

在所述第一插塞之上形成第二插塞，

其中，形成覆盖结构的步骤包括以下步骤：

在所述第一插塞的顶表面和侧壁之上形成覆盖层；

在形成有所述覆盖层的整个表面之上形成钝化层；以及

选择性地去除所述覆盖层和所述钝化层，以形成具有覆盖层图案和钝化层图案且同时暴露出所述第一插塞的顶表面的所述覆盖结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除所述覆盖层和所述钝化层的步骤包括以下步骤：

利用所述覆盖层作为刻蚀阻挡层来选择性地刻蚀所述钝化层，以形成具有间隔件类型的所述钝化层图案；以及

选择性地刻蚀所述覆盖层以形成所述覆盖层图案来暴露出所述第一插塞的顶表面。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第一插塞的顶表面和侧壁之上形成所述覆盖层的步骤包括以下步骤：

对所述第一插塞的顶表面执行等离子体氧化工艺。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一插塞包括含硅层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二插塞包括含金属层。

6.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述接触孔之前，在所述位线结构的侧壁之上形成间隔件。

7.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个位线结构；

在所述位线结构之间形成接触孔；

在所述接触孔的侧壁上形成牺牲间隔件；

形成凹陷在各个接触孔内的硅插塞；

通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；

形成覆盖所述气隙且同时暴露出所述硅插塞的顶表面的覆盖结构；

在所述硅插塞之上形成欧姆接触层；以及

在所述欧姆接触层之上形成金属插塞，

其中：

每个硅插塞包括多晶硅层，以及

每个覆盖结构包括通过将相对应的硅插塞氧化而产生的氧化硅。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述覆盖结构的步骤包括以下步骤：

通过对所述硅插塞的顶表面执行等离子体氧化工艺来形成氧化物；

在包括所述氧化物的整个表面之上形成氮化硅；以及

选择性地去除所述氧化物和所述氮化硅，使得所述硅插塞的顶表面暴露出来。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述欧姆接触层包括钴硅化物。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述金属插塞包括钨。

11.如权利要求7所述的方法，其中，所述牺牲间隔件包括氮化钛。

12.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述接触孔之前在所述位线结构的侧壁上形成间隔件。

13.一种半导体器件，包括：

多个位线结构，所述多个位线结构形成在衬底之上；

储存节点接触孔，所述储存节点接触孔被形成为经由所述储存节点接触孔将所述位线结构的侧壁暴露出来；

硅插塞，所述硅插塞被凹陷且形成在各个储存节点接触孔中；

气隙，所述气隙形成在所述位线结构的侧壁与所述硅插塞之间；

覆盖层图案，所述覆盖层图案形成在所述气隙之上；

钝化层，所述钝化层形成在各个覆盖层图案之上；以及

金属插塞，所述金属插塞形成在各个硅插塞之上，

其中，所述气隙用所述各个覆盖层图案和钝化层来覆盖，

其中，所述钝化层被形成为覆盖所述储存节点接触孔的上侧和侧壁的间隔件类型。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述覆盖层图案包括所述硅插塞的氧化物。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括氮化硅。