[发明专利]深紫外探测器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310244835.7 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103325858A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 梅增霞;侯尧楠;梁会力;叶大千;刘尧平;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;郭海彬 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外探测器及其制备方法。所述深紫外探测器包括金属电极和材料为MgxZn1-xO的薄膜层，所述金属电极通过一过渡层与所述薄膜层连接，所述过渡层的材料选择成能够降低所述薄膜层与所述金属电极之间的肖特基势垒。本发明通过在金属电极与MgxZn1-xO深紫外探测材料之间插入一掺杂薄层，降低了金属电极和MgxZn1-xO之间的肖特基势垒，从而提高光生载流子的收集效率，改善MgxZn1-xO深紫外探测器的光响应度等器件性能。并且本发明制造工艺简单，适合大规模产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外探测器，包括金属电极和材料为MgxZn1‑xO的薄膜层，其特征在于，所述金属电极通过一过渡层与所述薄膜层连接，所述过渡层的材料选择成能够降低所述薄膜层与所述金属电极之间的肖特基势垒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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