[发明专利]沟渠式功率元件及其制造方法

摘要

一种沟渠式功率元件及其制造方法，该沟渠式功率元件包括半导体层、沟渠式栅极结构、沟渠式源极结构、及接触塞。半导体层包含磊晶层、基体掺杂区、源极/漏极区、及接触掺杂区；其中，基体掺杂区抵接于磊晶层，源极/漏极区抵接于基体掺杂区，接触掺杂区抵接于基体掺杂区且位于源极/漏极区正投影于基体掺杂区的部位外侧。沟渠式栅极结构埋置于源极/漏极区与基体掺杂区并延伸埋设于磊晶层。沟渠式源极结构埋置于基体掺杂区并延伸埋设于磊晶层且抵接于接触掺杂区。接触塞抵接于源极/漏极区及接触掺杂区。藉此，源极/漏极区相对于接触塞的电位等同于基体掺杂区与沟渠式源极结构各相对于接触塞的电位。

主权项

一种沟渠式功率元件，其特征在于，所述沟渠式功率元件包括：一基材，所述基材界定有一晶胞区、一终端区、及一通道终止区，且所述终端区位于所述晶胞区与所述通道终止区之间，所述基材包括一基底及形成在所述基底上的一半导体层，其中，所述半导体层包含：一磊晶层，位于所述基底上，且所述磊晶层的导电型态与所述基底的导电型态相同；一基体掺杂区，所述基体掺杂区抵接于所述磊晶层，且所述基体掺杂区位于所述晶胞区内的所述半导体层并远离所述基底，所述基体掺杂区的导电型态不同于所述磊晶层的导电型态；一源极/漏极区，所述源极/漏极区抵接于所述基体掺杂区，并且所述源极/漏极区位于所述晶胞区内的所述半导体层并远离所述基底；及一接触掺杂区，所述接触掺杂区抵接于所述基体掺杂区且部分地位于所述基体掺杂区外，所述接触掺杂区位于所述源极/漏极区正投影于所述基体掺杂区的部位外侧；一沟渠式栅极结构，所述沟渠式栅极结构埋置于所述晶胞区内的所述半导体层，且所述沟渠式栅极结构穿过所述源极/漏极区与所述基体掺杂区并延伸埋设于所述磊晶层；一沟渠式源极结构，所述沟渠式源极结构埋置于所述晶胞区内的所述半导体层且与所述沟渠式栅极结构呈彼此间隔设置，所述沟渠式源极结构穿过所述基体掺杂区并延伸埋设于所述磊晶层，且所述沟渠式源极结构的远离所述基底的部位抵接于所述接触掺杂区，而所述沟渠式源极结构埋设于所述磊晶层的深度大于所述沟渠式栅极结构埋设于所述磊晶层的深度；以及一接触塞，所述接触塞至少部分地容置于所述源极/漏极区与所述接触掺杂区所包围的空间，且所述接触塞抵接于所述源极/漏极区以及所述接触掺杂区；其中，所述源极/漏极区相对于所述接触塞的电位等同于所述基体掺杂区与所述沟渠式源极结构分别通过所述接触掺杂区而相对于所述接触塞的电位。