[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件简化了制造过程。该器件包括保护性芯片，其具有表面齐纳二极管以保护具有形成于其中的LED的发光芯片免于浪涌电压。该保护性芯片安装在通过金属线电耦合至阳极电极的布线之上，该阳极电极耦合至p型半导体区域，其导电类型与芯片的半导体衬底的导电类型相同。保护性芯片的阳极电极在没有PN结的情况下电耦合至芯片的后表面，从而即使后表面与布线相接触，齐纳二极管的电气特性也不会出现问题。这使得无需在芯片后表面形成绝缘膜以防止后表面和布线之间的接触，因此简化了制造过程。

主权项

一种半导体器件，包括：封装衬底；第一布线和第二布线，相互电隔离并且形成在所述封装衬底上；电子组件，电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间并且安装在所述第一布线上；半导体芯片，包括与所述电子组件并联地电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间以保护所述电子组件的齐纳二极管并且具有第一表面及在其背面的第二表面，其中所述齐纳二极管的阳极电极和阴极电极位于所述第一表面上；以及树脂结合层，形成在所述第二布线与所述第二表面之间，其中所述半导体芯片包括：p型半导体衬底；p型阳极区域，形成在所述第一表面侧的半导体衬底中；n型阴极区域，形成在所述第一表面侧的半导体衬底中；所述阳极电极，形成在所述阳极区域中；以及所述阴极电极，形成在所述阴极区域中，其中所述电子组件通过第一金属线连接到所述第一布线并且通过第二金属线连接到所述第二布线，并且其中所述p型阳极区域通过第三金属线连接到所述第二布线并且所述n型阴极区域通过第四金属线连接到所述第一布线。