[发明专利]基于PCB的射频功率封装窗口框架有效

专利信息
申请号: 201310240227.9 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN103367268A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 周顺荣;B·康迪;A·康波施 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/58
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马永利;李浩
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架,所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。
搜索关键词: 基于 pcb 射频 功率 封装 窗口 框架
【主权项】:
一种半导体封装,包括:含铜基板,其具有管芯附着区域和周边区域;晶体管管芯,其具有附着到所述基板的管芯附着区域的第一端子、以及背对所述基板的第二端子和第三端子;以及包括电绝缘构件的框架,所述电绝缘构件具有附着到所述基板的周边区域的第一侧、背对所述基板的第二侧、在所述绝缘构件的第一侧处的第一含铜金属层以及在所述绝缘构件的第二侧处的第二含铜金属层,其中所述绝缘构件向外延伸超过所述基板的横向侧壁,所述第一金属层被附着到所述第一侧的向外延伸超过所述基板的横向侧壁的部分,以及所述第一和第二金属层在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。
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